RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 48
    周辺 -66% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.5 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    48 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    8.9 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 14.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1420 left arrow 3457

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAMの比較

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
メモリRAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
メモリRAM