Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

総合得点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

総合得点

Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

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Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

考慮すべき理由
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

34 48

周辺 -41% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

14.6 8.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.2 5.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

48 34
読み出し速度、GB/s

8.9 14.6
書き込み速度、GB/秒

5.9 11.2
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1420 2279

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

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Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB

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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

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Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB

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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

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G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB

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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

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