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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

総合得点
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 48
    周辺 -153% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.4 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    48 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    8.9 left arrow 20.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 16.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1420 left arrow 3521

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Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
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Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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