Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

総合得点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

総合得点

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

21 48

周辺 -129% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.6 8.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.2 5.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

48 21
読み出し速度、GB/s

8.9 17.6
書き込み速度、GB/秒

5.9 12.2
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1420 3126

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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