RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 47
    周辺 -96% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 9.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    9.3 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 9.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1413 left arrow 2442

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAMの比較

Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB RAMの比較

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
メモリRAM
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
メモリRAM