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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

総合得点
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

総合得点
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Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB 考慮すべき理由
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 47
    周辺 -21% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 9.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    18200 left arrow 10600
    周辺 1.72 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    9.3 left arrow 12.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 18200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-18200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1413 left arrow 2169

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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Kingston 9905630-066.A00G 16GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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