RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
バグを報告する
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 47
    周辺 -24% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 9.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.4 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    9.3 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 11.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1413 left arrow 2821

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAMの比較

Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
メモリRAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905471-023.A00LF 8GB
Kingston 9905471-023.A00LF 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
メモリRAM