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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
総合得点
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
47
周辺 -104% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18
9.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.0
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
23
読み出し速度、GB/s
9.3
18.0
書き込み速度、GB/秒
5.9
14.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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