RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
バグを報告する
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB 考慮すべき理由
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 41
    周辺 -71% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.6 left arrow 13.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    13.3 left arrow 18.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2016 left arrow 3800

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAMの比較

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
メモリRAM