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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB

総合得点
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

総合得点
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Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB

Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 56
    周辺 27% 低遅延
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB 考慮すべき理由
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.9 left arrow 13.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 56
  • 読み出し速度、GB/s
    13.3 left arrow 17.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 9.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2016 left arrow 2071

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メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Kingston 9905678-156.A00G 8GB
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メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
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メモリRAM
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston KHYXPX-MIE 8GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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