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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB

総合得点
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

総合得点
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB

Kingston X2YH1K-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 41
    周辺 -3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 13.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.8 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    13.3 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 9.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2016 left arrow 2875

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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