RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
バグを報告する
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB 考慮すべき理由
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 41
    周辺 -58% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 12.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    12.9 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1958 left arrow 2808

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB RAMの比較

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
メモリRAM
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
メモリRAM