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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
比較する
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
総合得点
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
総合得点
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
43
71
周辺 39% 低遅延
考慮すべき理由
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
11
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.9
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
71
読み出し速度、GB/s
11.0
15.5
書き込み速度、GB/秒
7.2
8.9
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1393
1986
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
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