RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

総合得点
star star star star star
SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB 考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 33
    周辺 24% 低遅延
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 14.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 8.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    14.6 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 14.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2399 left arrow 3136

SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB RAMの比較

SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
メモリRAM