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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
比較する
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
総合得点
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
46
周辺 -70% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.1
14.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.7
13.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
27
読み出し速度、GB/s
14.2
20.1
書き込み速度、GB/秒
13.6
16.7
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2717
3759
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
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