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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
比較する
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
10.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
46
周辺 -18% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
14.2
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
39
読み出し速度、GB/s
14.2
16.1
書き込み速度、GB/秒
13.6
10.5
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2717
2815
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
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