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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
比較する
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
46
周辺 -70% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.5
14.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.7
13.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
27
読み出し速度、GB/s
14.2
18.5
書き込み速度、GB/秒
13.6
16.7
メモリ帯域幅、mbps
21300
17000
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2717
3767
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAMの比較
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
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