RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Jinyu 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Jinyu 16GB

総合得点
star star star star star
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

総合得点
star star star star star
Jinyu 16GB

Jinyu 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB 考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 12.9
    テスト平均値
Jinyu 16GB 考慮すべき理由
Jinyu 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 46
    周辺 -119% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 14.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Jinyu 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.6 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2717 left arrow 3209

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Jinyu 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
メモリRAM