RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

総合得点
star star star star star
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB 考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 46
    周辺 -100% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 14.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.6 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2717 left arrow 3147

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
メモリRAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
メモリRAM