RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
比較する
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
総合得点
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
総合得点
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
16.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
77
周辺 -208% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
1,884.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
77
25
読み出し速度、GB/s
2,936.9
16.2
書き込み速度、GB/秒
1,884.0
11.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
564
2909
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAMの比較
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB RAMの比較
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link