RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
比較する
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
総合得点
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
総合得点
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
15.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
77
周辺 -103% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.1
1,884.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
77
38
読み出し速度、GB/s
2,936.9
15.9
書き込み速度、GB/秒
1,884.0
15.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
564
3264
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAMの比較
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link