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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
総合得点
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
総合得点
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
13.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
77
周辺 -175% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
6.9
1,884.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
77
28
読み出し速度、GB/s
2,936.9
13.7
書き込み速度、GB/秒
1,884.0
6.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2312
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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