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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs AMD R748G2133U2S 8GB
総合得点
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
総合得点
AMD R748G2133U2S 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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考慮すべき理由
AMD R748G2133U2S 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
37
周辺 -61% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.9
14.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.4
10.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
23
読み出し速度、GB/s
14.7
15.9
書き込み速度、GB/秒
10.6
11.4
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2438
2852
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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