RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

総合得点
star star star star star
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
バグを報告する
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB 考慮すべき理由
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 37
    周辺 -61% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.1 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    14.7 left arrow 17.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.6 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2438 left arrow 2960

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
メモリRAM