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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB

総合得点
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

総合得点
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 37
    周辺 -32% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 10.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    14.7 left arrow 17.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.6 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2438 left arrow 3772

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAMの比較

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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メモリRAM
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Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
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