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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
総合得点
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
総合得点
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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考慮すべき理由
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
37
周辺 -23% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.2
14.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
10.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
17000
周辺 1.38 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
30
読み出し速度、GB/s
14.7
15.2
書き込み速度、GB/秒
10.6
11.8
メモリ帯域幅、mbps
17000
23400
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2438
2913
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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