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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

総合得点
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

総合得点
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 74
    周辺 50% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 13.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 7.7
    テスト平均値
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB 考慮すべき理由
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 74
  • 読み出し速度、GB/s
    14.7 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.6 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2438 left arrow 1616

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAMの比較

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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB RAMの比較

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