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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
総合得点
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
総合得点
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
37
周辺 8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
14.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.6
9.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11% 高帯域
考慮すべき理由
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
34
37
読み出し速度、GB/s
15.4
14.3
書き込み速度、GB/秒
11.6
9.9
メモリ帯域幅、mbps
21300
19200
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2786
2422
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
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