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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

総合得点
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 35
    周辺 3% 低遅延
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 15.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 11.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    34 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    15.4 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.6 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2786 left arrow 2767

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB RAMの比較

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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
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メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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