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SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
比較する
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
総合得点
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
総合得点
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.2
16
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
34
周辺 -3% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
11.9
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
34
33
読み出し速度、GB/s
16.2
16.0
書き込み速度、GB/秒
11.9
12.1
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2907
2947
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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