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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

総合得点
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Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 8.9
    テスト平均値
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 36
    周辺 -64% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17 left arrow 15
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    15.0 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2657 left arrow 2623

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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
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メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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