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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

総合得点
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB 考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 36
    周辺 -20% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 15
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
    周辺 1.2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    15.0 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2657 left arrow 3026

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