SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

総合得点
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

総合得点
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Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

相違点

  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 6.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
    周辺 1.51% 高帯域
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 54
    周辺 -69% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    15.7 left arrow 13.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.6 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2511 left arrow 1844
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