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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
総合得点
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
総合得点
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
54
55
周辺 2% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.8
15.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
11.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
55
読み出し速度、GB/s
15.7
15.8
書き込み速度、GB/秒
11.6
13.8
メモリ帯域幅、mbps
25600
25600
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
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