RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
比較する
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
総合得点
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
20.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,042.4
18.6
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
18
61
周辺 -239% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
61
18
読み出し速度、GB/s
4,448.3
20.6
書き込み速度、GB/秒
2,042.4
18.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
860
3607
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB RAMの比較
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link