RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 19.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,042.4 left arrow 14.5
    テスト平均値
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 61
    周辺 -190% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    61 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    4,448.3 left arrow 19.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,042.4 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    860 left arrow 3427

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB RAMの比較

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
メモリRAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
メモリRAM