RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB vs Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB

SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB

総合得点
star star star star star
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 12.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 7.7
    テスト平均値
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB 考慮すべき理由
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 12.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1466 left arrow 1930

SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB RAMの比較

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB RAMの比較

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
メモリRAM
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
メモリRAM
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
メモリRAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
メモリRAM