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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB

総合得点
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

総合得点
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Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    51 left arrow 54
    周辺 6% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.8 left arrow 7.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 7.7
    テスト平均値
Kingston KVR26N19D8/16 16GB 考慮すべき理由
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 54
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 7.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2182 left arrow 1611

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メモリRAM
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Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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メモリRAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
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