SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

総合得点

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

総合得点

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

相違点仕様コメント

相違点

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

考慮すべき理由
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

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Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

考慮すべき理由
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 51

周辺 -70% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.2 9.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.8 8.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

23400 12800

周辺 1.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

51 30
読み出し速度、GB/s

9.8 15.2
書き込み速度、GB/秒

8.2 11.8
メモリ帯域幅、mbps

12800 23400

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2182 2913

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

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Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB

A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB

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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

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takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB

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