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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

総合得点
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Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB 考慮すべき理由
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 51
    周辺 -70% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2182 left arrow 3132

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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
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メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
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メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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