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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
総合得点
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
総合得点
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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考慮すべき理由
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
41
周辺 -24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
11.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.8
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
33
読み出し速度、GB/s
11.6
16.1
書き込み速度、GB/秒
7.3
14.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1438
3599
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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