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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Kingston KY7N41-MID 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

総合得点
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Kingston KY7N41-MID 8GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Kingston KY7N41-MID 8GB 考慮すべき理由
Kingston KY7N41-MID 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 41
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 11.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    11.6 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1438 left arrow 2869

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G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
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Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
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Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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UMAX Technology 16GB
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メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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