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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

総合得点
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A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 126
    周辺 70% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.6 left arrow 6.5
    テスト平均値
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 126
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 12.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.6 left arrow 6.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1406 left arrow 1108

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Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
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メモリRAM
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SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
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メモリRAM
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
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メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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