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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Kingston XRMWRN-HYA 16GB

総合得点
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

総合得点
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Kingston XRMWRN-HYA 16GB

Kingston XRMWRN-HYA 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Kingston XRMWRN-HYA 16GB 考慮すべき理由
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 38
    周辺 -15% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.9 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 6.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.6 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1406 left arrow 2962

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Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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