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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
総合得点
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
38
周辺 -15% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
6.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
33
読み出し速度、GB/s
10.9
17.6
書き込み速度、GB/秒
6.6
12.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1406
2910
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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