RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 38
    周辺 -12% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 6.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.6 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1406 left arrow 2584

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAMの比較

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
メモリRAM