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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

総合得点
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Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 43
    周辺 -34% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.9 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 10.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1706 left arrow 2822

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Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
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メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston 9965600-012.A02G 16GB
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