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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
総合得点
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
43
周辺 -72% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.2
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
25
読み出し速度、GB/s
12.3
15.2
書き込み速度、GB/秒
8.1
12.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1706
2740
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAMの比較
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
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Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
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