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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 43
    周辺 -34% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.5 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 10.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1706 left arrow 2714

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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
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メモリRAM
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Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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