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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

総合得点
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Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston KF3200C18D4/8G 8GB 考慮すべき理由
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 43
    周辺 -43% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    21.9 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.3 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 21.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 16.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1706 left arrow 3650

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Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
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INTENSO 5641162 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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